安森美半导体是领先的宽禁带半导体制造商,是该技术的先锋,并创建了最低rdson的sic mosfet之一。
我们提供同类最佳的封装技术,全面的高能效电源方案,包括先进的基于碳化硅(sic)的器件如sic mosfet、sic二极管、sic和氮化镓(gan)驱动器及集成模块。
安森美半导体推出了两个新系列:1200伏(v)和900v n沟道 sic mosfet,扩展了其宽禁带(wbg)器件系列。
本文介绍该技术,您可了解我们介绍的新的sic mosfet的用例,以及哪些终端应用将得益于我们新的sic方案。
问:1200v,20mω n沟道sic mosfet nthl020n120sc1的主要特性是什么
答:nthl020n120sc1的设计旨在在1200v的阻断电压(vdss)下提供极低的导通损耗。此外,它被设计为以低内部门极电阻(rg =1．81ω)和低输出电容(coss = 260pf)快速驱动。
问:相较安森美半导体现有的sic mosfet (在推出nthl020n120sc1前),nthl020n120sc1有哪些改进的特性
答:这是我们的第一代sic mosfet,因此不能与以前的器件进行比较。但是,我们的器件相对于市场上的其他器件具有一些优势-强大的氧化物性能(vgs额定值为+25v/-15v),无vth漂移,无体二极管漂移,高开关速度,具有dv/dt控制的平滑门极驱动以及强大的体二极管用于硬开关。
问:nthl020n120sc1提供什么有竞争力的规格
答:我们的1200v sic mosfet器件在市场上非常有竞争力,满足或超越大多数客户的规格。每个应用都关注不同的参数,但总的来说,我们将我们的器件设计为可快速运行,从而减少了开关和导通损耗。为此,我们实现了较低的rdson,并选择了低的内部门极电阻以快速开关。我们设计的器件强固耐用,具有超过100v/ns的快速瞬态抗扰度。
问:sic的优势是什么
答:sic的优势在于材料本身具有比硅高10倍的介电击穿场强,高2倍的电子饱和速率,高3倍的导热率。系统优势是降低功率损耗,提高功率密度、工作频率,耐受的工作温度,降低emi,最重要的是降低系统尺寸和成本,从而提供最高能效。
终端应用:
问:有哪些终端应用将充分利用nthl020n120sc1的主要特性
答:有多种终端应用将显著得益于减少物料单(bom)成分以及增加功率密度。两个尤为明显的特定应用是太阳能逆变器以及电动汽车(ev)充电桩。
问:为什么sic mosfet产品特别有利于太阳能逆变器和电动汽车充电桩这些应用是否有强烈的尺寸/外形要求如果是这样,您能告诉我们背景或需求吗
答:大多数pfc级通常都很复杂,频率有限,能效从未超过98%。使用sic可以减少器件数(减少复杂性),减少无源器件,实现更好的散热以及高于98%的能效。
问:对更小的太阳能逆变器和充电桩有很大的需求吗原因是什么
答:
太阳能逆变器:
当前,太阳能逆变器市场领域有两个趋势。安森美半导体估计占总目标市场 (tam)的30%。
1)每排面板的多个小于20kw的小型逆变器将直流电转换为交流电,然后馈入大型兆瓦级逆变器
1． 小于20kw的小型逆变器通常会在pcf级中使用分立sic。对于llc,视乎时间表、成本和能效目标,结合使用超级结(sj)和sic。
2． 如果客户转向sic,则有很多优点,但是门极驱动电压较高,因此必须重新设计电路是个缺点。
2)一些大于20kw的大型逆变器会占用多排面板,而不会馈入更大的逆变器中
1． 大于20kw的较大型逆变器通常使用电源模块。
2． 以前是igbt模块,然后在过去的5年中向混合模块(igbt + sic二极管)发展,现在我们看到使用sic mosfet模块
充电桩:
充电桩有4级功率。1级和2级是1/3相交流充电器。这些充电器不使用sic,而是使用汽车的车载充电器(obc)为电池充电。3级和4级的功率更高,并且在充电桩上使用ac - dc,因此,当您连接到汽车时,它将直接为电池充电。
此外,我们将充电桩的3个“市场”细分
1)住宅– 1级或2级充电器
2)商业– 2级或3级(商场,工作场所,汽车停放处)
3)高速公路– 3级或4级(将在此处使用sic)
总之,充电市场特别是高功率仍在发展。在这里,由于功率高,我们看到其中大部分使用电源模块,但也看到llc或次级整流级使用分立器件。

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